N-Kanal-Transistor 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

N-Kanal-Transistor 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
2.62€
5-9
2.26€
10-24
2.04€
25-49
1.89€
50+
1.68€
Menge auf Lager: 40

N-Kanal-Transistor 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-67, 2-10U1B. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1500pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gewicht: 1.7g. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3569. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Td(off): 180 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOSVI). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3569
32 Parameter
ID (T=25°C)
10A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.54 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
SC-67, 2-10U1B
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
1500pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Gewicht
1.7g
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3569
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
180pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
45W
RoHS
ja
Td(off)
180 ns
Td(on)
50 ns
Technologie
Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOSVI)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1300 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba