Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3667

N-Kanal-Transistor, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3667
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N-Kanal-Transistor, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3667. N-Kanal-Transistor, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Id(imp): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3667. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 18:25.

Technische Dokumentation

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