N-Kanal-Transistor 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
5.12€
5-24
4.53€
25-49
4.00€
50+
3.66€
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N-Kanal-Transistor 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.31 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 430pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 14.8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3699. Kosten): 60pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 43W. RoHS: ja. Td(off): 32 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1us. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3699-01MR
30 Parameter
ID (T=100°C)
3.7A
ID (T=25°C)
3.7A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
3.31 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
430pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
14.8A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3699
Kosten)
60pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
43W
RoHS
ja
Td(off)
32 ns
Td(on)
19 ns
Technologie
Super FAP-G Series
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1us
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fuji Electric