N-Kanal-Transistor 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2200pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3878. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 45pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1.4us. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25