N-Kanal-Transistor 2SK4075, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

N-Kanal-Transistor 2SK4075, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Menge
Stückpreis
1-4
3.28€
5-24
2.99€
25-49
2.70€
50+
2.45€
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N-Kanal-Transistor 2SK4075, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.2m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2900pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochstrom-Schaltanwendungen. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4075. Kosten): 450pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 52W. RoHS: ja. Td(off): 54 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET, Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
2SK4075
29 Parameter
ID (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
60A
IDSS (max)
1uA
Einschaltwiderstand Rds On
5.2m Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
40V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
2900pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochstrom-Schaltanwendungen
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K4075
Kosten)
450pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
52W
RoHS
ja
Td(off)
54 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
Leistungs-MOSFET, Feldeffekttransistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
33 ns
Vgs(th) min.
1.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nec