Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956

N-Kanal-Transistor, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956
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N-Kanal-Transistor, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956. N-Kanal-Transistor, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 18:25.

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N-Kanal-Transistor, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2150pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 730 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQA10N80C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 240W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V
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