N-Kanal-Transistor 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7 Ohms. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SSFP. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 7pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.3V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.4V. Id(imp): 0.6A. Kanaltyp: N. Kosten): 5.9pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.15W. Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:52