N-Kanal-Transistor AO4262E, SO8. Gehäuse: SO8. : erweitert. Aufladung: 15nC. Drain-Source-Spannung: 60V. Eigenschaften des Halbleiters: ESD-geschützt. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 13A. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15