N-Kanal-Transistor AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-Kanal-Transistor AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
0.93€
5-49
0.78€
50-99
0.69€
100-199
0.62€
200+
0.51€
Menge auf Lager: 882

N-Kanal-Transistor AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. IDSS: 0.1mA. IDSS (max): 20mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0039 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. C(in): 3760pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.1mA. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Kosten): 682pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
AO4714
28 Parameter
ID (T=100°C)
16A
ID (T=25°C)
20A
IDSS
0.1mA
IDSS (max)
20mA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0039 Ohms
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
C(in)
3760pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
0.1mA
Id(imp)
100A
Kanaltyp
N
Kosten)
682pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
3W
RoHS
ja
Td(off)
34 ns
Td(on)
9.5 ns
Technologie
„Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
18 ns
Vgs(th) min.
1.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors