N-Kanal-Transistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-Kanal-Transistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.28€
5-49
1.06€
50-99
0.89€
100+
0.80€
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N-Kanal-Transistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 20mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0058 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2154pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.1mA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kosten): 474pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
AO4716
30 Parameter
ID (T=100°C)
9.6A
ID (T=25°C)
12A
IDSS (max)
20mA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0058 Ohms
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2154pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
0.1mA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Kosten)
474pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
3.1W
RoHS
ja
Td(off)
25.2 ns
Td(on)
6.8 ns
Technologie
„Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
12 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1.3V
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors