N-Kanal-Transistor AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V

N-Kanal-Transistor AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V

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0.71€
5-24
0.58€
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50-99
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N-Kanal-Transistor AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V. Gehäuse: SO. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 46m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. : erweitert. Anzahl der Ausgänge: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 4.3nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Drain-Source-Spannung: 60V. Funktion: MOSFET-Transistor, Rds (ON) sehr niedrig. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 4.7V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Leistung: 1.28W. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Strömung abfließen: 4.5A. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Transistortyp: N-MOSFET x2. Trr-Diode (Min.): 27.5us. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:24

Technische Dokumentation (PDF)
AO4828
32 Parameter
Gehäuse
SO
ID (T=100°C)
3.6A
ID (T=25°C)
4.5A
IDSS (max)
5uA
Einschaltwiderstand Rds On
46m Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
60V
erweitert
Anzahl der Ausgänge
2
Anzahl der Terminals
8:1
Aufladung
4.3nC
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Drain-Source-Spannung
60V
Funktion
MOSFET-Transistor, Rds (ON) sehr niedrig
Gate-Source-Spannung
±20V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
4.7V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
20A
Kanaltyp
N
Leistung
1.28W
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2W
RoHS
ja
Strömung abfließen
4.5A
Technologie
„Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“
Transistortyp
N-MOSFET x2
Trr-Diode (Min.)
27.5us
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors