N-Kanal-Transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

N-Kanal-Transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
1.92€
5-24
1.66€
25-49
1.47€
50-99
1.30€
100+
1.07€
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N-Kanal-Transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.71 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 500V. : erweitert. Aufladung: 13.1nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 962pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 500V. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±30V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kosten): 98pF. Leistung: 178W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 178W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 5.7A. Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 332ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

AOD9N50
33 Parameter
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
9A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.71 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
D-PAK TO-252AA
Spannung Vds(max)
500V
erweitert
Aufladung
13.1nC
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
962pF
Drain-Source-Schutz
ja
Drain-Source-Spannung
500V
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
±30V
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
27A
Kanaltyp
N
Kosten)
98pF
Leistung
178W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
178W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
5.7A
Td(off)
55 ns
Td(on)
24 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
332ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.3V