N-Kanal-Transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V
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N-Kanal-Transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.71 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 500V. : erweitert. Aufladung: 13.1nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 962pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 500V. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±30V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kosten): 98pF. Leistung: 178W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 178W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 5.7A. Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 332ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25