N-Kanal-Transistor AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. IDSS: 10uA. IDSS (max): 10.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. C(in): 450pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schnell schaltender DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4800C G M. Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25