N-Kanal-Transistor AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V

N-Kanal-Transistor AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V

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N-Kanal-Transistor AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220CFM. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1700pF. Drain-Source-Schutz: Diode. G-S-Schutz: NO. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 160pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 31.3W. RoHS: ja. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:35

Technische Dokumentation (PDF)
AP9971GI
30 Parameter
ID (T=100°C)
14A
ID (T=25°C)
23A
IDSS (max)
25uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.036 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220CFM
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1700pF
Drain-Source-Schutz
Diode
G-S-Schutz
NO
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
160pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
31.3W
RoHS
ja
Td(off)
26 ns
Td(on)
9 ns
Technologie
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
37 ns
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Advanced Power