N-Kanal-Transistor APT5010JFLL, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

N-Kanal-Transistor APT5010JFLL, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

Menge
Stückpreis
1-2
40.50€
3-4
38.94€
5-9
35.59€
10+
33.29€
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N-Kanal-Transistor APT5010JFLL, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 41A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT-227 ). Spannung Vds(max): 500V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4360pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: schnelles Schalten, geringe Leckage. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 250uA. Id(imp): 164A. Kanaltyp: N. Kosten): 895pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 378W. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 280 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:35

Technische Dokumentation (PDF)
APT5010JFLL
27 Parameter
ID (T=25°C)
41A
IDSS (max)
1000uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.10 Ohms
Gehäuse
ISOTOP ( SOT227B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOTOP ( SOT-227 )
Spannung Vds(max)
500V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
4360pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
schnelles Schalten, geringe Leckage
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
250uA
Id(imp)
164A
Kanaltyp
N
Kosten)
895pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
378W
Td(off)
25 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
Power MOS 7 FREDFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
280 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Advanced Power