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N-Kanal-Transistor BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v
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Stückpreis
1-4
1.67€
5-49
1.57€
50-99
1.52€
100-199
1.36€
200+
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N-Kanal-Transistor BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v. Gehäuse: TO-92. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 25mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 4pF. Drain-Source-Schutz: nein. Drain-Source-Spannung: 30V. Funktion: HF-VHF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Kanaltyp: N. Kosten): 1.6pF. Leistung: 300mW. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 25uA. Technologie: Feldeffekttransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: JFET. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:30
BF245C
29 Parameter
Gehäuse
TO-92
ID (T=25°C)
25mA
IDSS (max)
25mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
3
C(in)
4pF
Drain-Source-Schutz
nein
Drain-Source-Spannung
30V
Funktion
HF-VHF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) max.
7.5V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
3.2V
Gate/Source-Spannung Vgs
8V
IDss (min)
12mA
IGF
10mA
Kanaltyp
N
Kosten)
1.6pF
Leistung
300mW
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
300mW
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
25uA
Technologie
Feldeffekttransistor
Temperatur
+150°C
Transistortyp
JFET
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild