N-Kanal-Transistor BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

N-Kanal-Transistor BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

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N-Kanal-Transistor BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V. Gehäuse: SOT-143. ID (T=25°C): 30mA. IDSS (max): 15mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Spannung Vds(max): 12V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2.1pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: VHF- und UHF-Anwendungen mit 12V Versorgungsspannung. G-S-Schutz: nein. IDss (min): 5mA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MOS. Kosten): 1.1pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:30

Technische Dokumentation (PDF)
BF998
23 Parameter
Gehäuse
SOT-143
ID (T=25°C)
30mA
IDSS (max)
15mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-143
Spannung Vds(max)
12V
Anzahl der Terminals
4
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2.1pF
Drain-Source-Schutz
nein
Funktion
VHF- und UHF-Anwendungen mit 12V Versorgungsspannung
G-S-Schutz
nein
IDss (min)
5mA
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
MOS
Kosten)
1.1pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
200mW
RoHS
ja
Technologie
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies