N-Kanal-Transistor BSS123-ONS, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 170mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 20pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.6V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 680mA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Kosten): 9pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Modus zur Verbesserung des Feldeffekttransistor-Logikpegels. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Vgs(th) min.: 1.6V. Äquivalente: BSS123-7-F. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31