N-Kanal-Transistor BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 25pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Sehr schnelles Umschalten. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 0.8A. Kanaltyp: N. Kosten): 8.5pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Spec info: Logic Level kompatibel. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31