N-Kanal-Transistor BST82-215, SOT23
Menge
Stückpreis
1-4
0.85€
5-9
0.53€
10-19
0.40€
20-49
0.33€
50+
0.28€
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N-Kanal-Transistor BST82-215, SOT23. Gehäuse: SOT23. Drain-Source-Spannung: 100V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 0.83W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 0.19A. Transistortyp: N-MOSFET. Widerstand auf den Staat: 10 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Nexperia. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:39
BST82-215
11 Parameter
Gehäuse
SOT23
Drain-Source-Spannung
100V
Gate-Source-Spannung
±20V
Leistung
0.83W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
0.19A
Transistortyp
N-MOSFET
Widerstand auf den Staat
10 Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
Nexperia