N-Kanal-Transistor BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-5-11. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Terminals: 5. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80us. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: -. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 300us. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -. Herstellerkennzeichnung: BTS432E2. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:33