N-Kanal-Transistor BTS436L2GATMA1, 38m Ohms, D²-PAK/5, PG-TO263-5-2, TO-263, 41V
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N-Kanal-Transistor BTS436L2GATMA1, 38m Ohms, D²-PAK/5, PG-TO263-5-2, TO-263, 41V. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. Gehäuse: D²-PAK/5. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO263-5-2. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 41V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250us. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: -. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 9.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200us. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Spec info: N-MOS 43V 9.8A. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:14