N-Kanal-Transistor BTS6142D, D-PAK/5, TO-252, 38V
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N-Kanal-Transistor BTS6142D, D-PAK/5, TO-252, 38V. Gehäuse: D-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 38V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 600us. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: -. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 600us. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -. Herstellerkennzeichnung: BTS6142D. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06
BTS6142D
15 Parameter
Gehäuse
D-PAK/5
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-252
Drain-Source-Spannung Uds [V]
38V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
600us
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
7A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.012 Ohms @ 7.5A
Einschaltzeit ton [nsec.]
600us
Herstellerkennzeichnung
BTS6142D
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
50W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon