N-Kanal-Transistor BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO263-3-2. Spannung Vds(max): 55V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1220pF. Kanaltyp: N. Kosten): 410pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 120W. Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57