N-Kanal-Transistor BUZ22, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 300 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1850pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 34A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: BUZ22. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. RoHS: nein. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:37