N-Kanal-Transistor BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-Kanal-Transistor BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

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1-4
1.73€
5-49
1.43€
50-99
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N-Kanal-Transistor BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 330pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kosten): 90pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Temperatur: +175°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57

Technische Dokumentation (PDF)
BUZ72A
27 Parameter
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.23 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
330pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
44A
Kanaltyp
N
Kosten)
90pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
70W
Td(off)
25 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
Enhancement Mode Power MOSFET Transistor
Temperatur
+175°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
80 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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