N-Kanal-Transistor, 200A, Andere, Andere, 1200V - CM200DY-24H

N-Kanal-Transistor, 200A, Andere, Andere, 1200V - CM200DY-24H. N-Kanal-Transistor, 200A, Andere, Andere, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 40pF. Kosten): 14pF. Kanaltyp: N. Funktion: Dualer IGBT-Transistor (isoliert). Kollektorstrom: 200A. Ic(Impuls): 400A. Abmessungen: 108x62x31mm. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Anzahl der Terminals: 7. Spec info: Hochleistungsschaltung. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.