N-Kanal-Transistor FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V

N-Kanal-Transistor FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
5.47€
5-14
4.83€
15-29
4.37€
30-59
4.08€
60+
3.64€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 76

N-Kanal-Transistor FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.041 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3090pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 236A. Kanaltyp: N. Kosten): 630pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 392W. RoHS: ja. Td(off): 90 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

Technische Dokumentation (PDF)
FDA59N25
29 Parameter
ID (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
59A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.041 Ohms
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN
Spannung Vds(max)
250V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
3090pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
PDP TV, AC/DC Converter
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
236A
Kanaltyp
N
Kosten)
630pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
392W
RoHS
ja
Td(off)
90 ns
Td(on)
70 ns
Technologie
UniFET MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
190 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für FDA59N25