N-Kanal-Transistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=100°C): -. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0087 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263AB. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1970pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): -. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47