N-Kanal-Transistor FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6
Menge
Stückpreis
1-4
1.68€
5-9
1.05€
10-19
0.91€
20-49
0.83€
50+
0.77€
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N-Kanal-Transistor FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6. Gehäuse: SSOT-6, SuperSOT-6. : erweitert. Aufladung: 3.2nC. Drain-Source-Spannung: 30V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 0.96W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 2.5A. Technologie: PowerTrench®. Transistortyp: N-MOSFET x2. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:22
FDC6561AN
13 Parameter
Gehäuse
SSOT-6, SuperSOT-6
erweitert
Aufladung
3.2nC
Drain-Source-Spannung
30V
Gate-Source-Spannung
±20V
Leistung
0.96W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
2.5A
Technologie
PowerTrench®
Transistortyp
N-MOSFET x2
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi