N-Kanal-Transistor FDPF5N50T, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-Kanal-Transistor FDPF5N50T, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
2.38€
5-24
2.07€
25-49
1.87€
50+
1.69€
Menge auf Lager: 169

N-Kanal-Transistor FDPF5N50T, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.15 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 480pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kosten): 66pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 28W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 11 nC), niedriger Crss 5 pF. Td(off): 28 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
FDPF5N50T
31 Parameter
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
5A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.15 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
480pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
20A
Kanaltyp
N
Kosten)
66pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
28W
RoHS
ja
Spec info
Niedrige Gate-Ladung (typisch 11 nC), niedriger Crss 5 pF
Td(off)
28 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
UniFET MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
300 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild