N-Kanal-Transistor FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 284nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2915pF. CE-Diode: ja. Emitter - Torspannung: ±20V. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißstation, PFC, Telekommunikation, ESS. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 180A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom Ic [A]: 60A. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Kosten): 270pF. Leistung: 300W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 180A. Spannung (Sammler - Emitter): 650V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Field Stop IGBT. Transistortyp: IGBT. Trr-Diode (Min.): 47ms. Verpackung: tubus. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00