N-Kanal-Transistor FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V

N-Kanal-Transistor FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
8.00€
5-14
7.20€
15-29
6.63€
30-59
6.24€
60+
5.67€
Menge auf Lager: 26

N-Kanal-Transistor FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V. Gehäuse: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 120nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2110pF. CE-Diode: ja. Emitter - Torspannung: ±20V. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH40N60SFD. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Kollektorstrom: 80A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 200pF. Leistung: 116W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 120A. Spannung (Sammler - Emitter): 600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Td(off): 115 ns. Td(on): 25 ns. Transistortyp: IGBT. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Verpackung: tubus. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
FGH40N60SFDTU
37 Parameter
Gehäuse
TO-247
Ic(T=100°C)
40A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Aufladung
120nC
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2110pF
CE-Diode
ja
Emitter - Torspannung
±20V
Funktion
Induction Heating, UPS, SMPS, PFC
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
4 v
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
FGH40N60SFD
Kollektorstrom Ic [A]
40A
Kollektorstrom
80A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
200pF
Leistung
116W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.9V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
290W
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
120A
Spannung (Sammler - Emitter)
600V
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.3V
Td(off)
115 ns
Td(on)
25 ns
Transistortyp
IGBT
Trr-Diode (Min.)
45 ns
Verpackung
tubus
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild