N-Kanal-Transistor FQA13N80-F109, TO-3PN ( 2-16C1B ), 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms, TO-3PN, 800V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12.6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.58 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 320 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2700pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 12.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Herstellerkennzeichnung: FQA13N80. IDss (min): 10uA. Id(imp): 50.4A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 275pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 850 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41