N-Kanal-Transistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2800pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 74A. Kanaltyp: N. Kosten): 350pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 150 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41