N-Kanal-Transistor FQA24N50, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V

N-Kanal-Transistor FQA24N50, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
10.18€
5-14
9.50€
15-29
8.73€
30-59
8.03€
60+
6.95€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 32

N-Kanal-Transistor FQA24N50, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.156 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3500pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 96A. Kanaltyp: N. Kosten): 520pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Td(off): 200 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQA24N50
30 Parameter
ID (T=100°C)
12.5A
ID (T=25°C)
24A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.156 Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
3500pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
96A
Kanaltyp
N
Kosten)
520pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
290W
RoHS
ja
Td(off)
200 ns
Td(on)
80 ns
Technologie
DMOS-Technologie
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
400 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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