N-Kanal-Transistor FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1150pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 132A. Kanaltyp: N. Kosten): 320pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 127W. RoHS: ja. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41