N-Kanal-Transistor FQP46N15, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V

N-Kanal-Transistor FQP46N15, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V

Menge
Stückpreis
1-4
2.94€
5-24
2.59€
25-49
2.37€
50-99
2.13€
100+
1.81€
Menge auf Lager: 45

N-Kanal-Transistor FQP46N15, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.033 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2500pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 182A. Kanaltyp: N. Kosten): 520pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 210W. RoHS: ja. Td(off): 210 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQP46N15
30 Parameter
ID (T=100°C)
32.2A
ID (T=25°C)
45.6A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.033 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
150V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
2500pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
182A
Kanaltyp
N
Kosten)
520pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
210W
RoHS
ja
Td(off)
210 ns
Td(on)
35 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
130 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild