N-Kanal-Transistor FQP50N06, TO-220, 60V, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, 60V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 35.4A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1180pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1540pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 50A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Herstellerkennzeichnung: FQP50N06. IDss (min): 1uA. Id(imp): 200A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 440pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41