N-Kanal-Transistor FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

N-Kanal-Transistor FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
1.97€
5-24
1.70€
25-49
1.51€
50-99
1.34€
100+
1.15€
Menge auf Lager: 64

N-Kanal-Transistor FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 543pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 13 nC, niedriger CrSS 5,5 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 12A. Kanaltyp: N. Kosten): 54pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 39W. RoHS: ja. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 642 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQPF3N80C
30 Parameter
ID (T=100°C)
1.9A
ID (T=25°C)
3A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
4 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
543pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 13 nC, niedriger CrSS 5,5 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
12A
Kanaltyp
N
Kosten)
54pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
39W
RoHS
ja
Td(off)
22.5 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
642 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild