N-Kanal-Transistor FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

N-Kanal-Transistor FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.91€
5-49
0.72€
50-99
0.60€
100+
0.54€
Menge auf Lager: 29

N-Kanal-Transistor FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.046 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 480pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Logikebene. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 68.8A. Kanaltyp: N. Kosten): 175pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 38W. RoHS: ja. Spec info: niedrige Gate-Ladung (typisch 9,5 nC). Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 54 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
FQU20N06L
30 Parameter
ID (T=100°C)
10.9A
ID (T=25°C)
17.2A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.046 Ohms
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251AA ( I-PAK )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
480pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Logikebene
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
68.8A
Kanaltyp
N
Kosten)
175pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
38W
RoHS
ja
Spec info
niedrige Gate-Ladung (typisch 9,5 nC)
Td(off)
35 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
QFET, Enhancement mode power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
54 ns
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild