N-Kanal-Transistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.54 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1380pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: HIGH-SPEED SW.. G-S-Schutz: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 21A. Kanaltyp: N. Kosten): 140pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Td(off): 180 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Mitsubishi Electric Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19