N-Kanal-Transistor GT30J324, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 4650pF. CE-Diode: ja. Funktion: Hochleistungsschaltanwendungen. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 60A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 30A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Temperatur: +150°C. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19