N-Kanal-Transistor HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-Kanal-Transistor HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
3.52€
5-24
3.06€
25-49
2.77€
50+
2.50€
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N-Kanal-Transistor HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3790pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: UltraFET Power MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 430A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75645 P. Kosten): 810pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 145 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

HUF75645P3
31 Parameter
ID (T=100°C)
65A
ID (T=25°C)
75A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0115 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
3790pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
UltraFET Power MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
430A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
75645 P
Kosten)
810pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
310W
RoHS
ja
Td(off)
41 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
UltraFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
145 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild