N-Kanal-Transistor IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 1860pF. CE-Diode: ja. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 75A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K25T120. Kollektorstrom: 50A. Kosten): 96pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35