N-Kanal-Transistor IKW50N60H3, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 116pF. CE-Diode: ja. Diodenschwellenspannung: 1.65V. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 200A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K50H603. Kollektorstrom: 100A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 2960pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 333W. RoHS: ja. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35