N-Kanal-Transistor IPA80R1K0CEXKSA2, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.83 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 785pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: ID pulse 18A. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). IDss (min): 10uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8R1K0CE. Kosten): 33pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00