N-Kanal-Transistor IPD034N06N3GATMA1, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.8m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO252-3 ( DPAK ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 8000pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 400A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 034N06N. Kosten): 1700pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00