N-Kanal-Transistor IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0058 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Spannung Vds(max): 30 v. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2400pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 350A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 050N03L. Kosten): 920pF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Td(off): 25 ns. Td(on): 6.7 ns. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00