N-Kanal-Transistor IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223

N-Kanal-Transistor IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223

Menge
Stückpreis
1-9
1.83€
10-24
1.67€
25-49
1.58€
50-99
1.49€
100+
1.31€
Menge auf Lager: 21

N-Kanal-Transistor IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223. Einschaltwiderstand Rds On: 6m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-SOT223. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 6.9W. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
IPN70R600P7SATMA1
11 Parameter
Einschaltwiderstand Rds On
6m Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
PG-SOT223
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Kanaltyp
N
Konditionierung
Rolle
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
6.9W
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies